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创建时间:2022-08-19 10:00

微电子所“三维半导体器件及其制造方法”发明专利荣获“中国专利银奖”

  7月26日,国家知识产权局印发《关于第二十三届中国专利奖授奖的决定》,评选出中国专利金奖、中国外观设计金奖等奖项。微电子所在本届中国专利奖评奖中取得新的突破,叶甜春研究员、霍宗亮研究员的中国发明专利“三维半导体器件及其制造方法”(专利号:ZL20151713805.5)荣获“中国专利银奖,这是微电子所所首次获得该级别奖项。


  “三维半导体器件及其制造方法” 从外围访问电路和存储阵列布局、存储阵列的集成以及性能提升的角度,对三维闪存存储器产品实现高密度集成指引了技术发展方向。


  “中国专利奖”是我国专利领域唯一的专门对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖,得到联合国世界知识产权组织(WIPO)的认可,在国际上具有一定的影响。

 

  稿件来源:存储器技术实验室 王斯宁

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