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创建时间:2022-09-05 12:20

台积电将于2025年量产2纳米芯片

  8月30日,在“2022台积电技术论坛”上,台积电CEO魏哲家表示,台积电的3纳米芯片即将量产,但并不是大家此前预想的GAA架构,而是选择延用FinFET架构。至于2纳米芯片,可以保证会在2025年量产。


  魏哲家指出,台积电3纳米的研发依旧困难重重,工程能力欠缺,正在努力加快量产。最终决定采用FinFET架构的主要原因是既要实用,还要低成本,这样才能更好地满足客户产品需求,也能保证稳定的供应能力。而2纳米将用新的纳米片(nanosheet)技术,在相同功耗下,相比3纳米,速度将增快10%~15%,如在相同速度下,功耗则降低25%~30%,成为电晶体密度最小、效能最佳的先进制程技术。


  会上,魏哲家还分享了他观察到的目前半导体制造的三大改变:一是过去的电晶体制造技术已经不能满足需求,需要向3D IC堆叠的方向发展。二是所有应用产品中,半导体含量都在持续增加。目前,每年汽车内的半导体含量都增加了近15%。以前台积电只是在先进制程研发方面的投资比较多,但随着CMOS、RF等技术不断进步,现在成熟制程也需要更多投资,两者一样重要。三是供应链管理是最重要的因素,一个全球化有效率的供应系统时代已经过去,所有成本都会急速增加,台积电将与客户紧密合作降低风险。


  据悉,台积电正在快速扩产,2017—2019年,平均每年新建2座晶圆厂,2020—2022年平均每年新建6座晶圆厂。


  此外,台积电也在加强与客户的合作。据了解,目前英伟达正加紧与台积电在高端芯片上的合作;高通的骁龙8 Gen2也将采用台积电4纳米制程;苹果已启动M3芯片核心设计,预期采用台积电3纳米N3E制程量产,这也是3纳米制程应用的第一款产品。

 

  来源:中国电子报、电子信息产业网

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